[实用新型]一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型有效
申请号: | 201621000650.7 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN206057490U | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 胡梦晨;李渊;李军浩;张亮;韩旭涛;康钧;廖鹏;彭洁 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;国网青海省电力公司;国网青海省电力公司电力科学研究院;西安交通大学 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 武汉帅丞知识产权代理有限公司42220 | 代理人: | 朱必武,刘国斌 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型,其特征在于,所述表面缺陷模型包括高压电极和地电极,所述高压电极和地电极之间放置有圆台形环氧块,用以模拟盆式绝缘子材料和结构,所述高压电极、圆台形环氧块和地电极三者紧密接触。本实用新型解决了现有技术无法针对盆式绝缘子表面存在污秽时进行试验的问题,满足了GIS表面缺陷放电特性研究的需要,为GIS盆式绝缘子表面缺陷放电特性研究开辟了一条崭新路径。 | ||
搜索关键词: | 一种 gis 绝缘子 表面 缺陷 模型 | ||
【主权项】:
一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型,其特征在于,所述表面缺陷模型包括高压电极和地电极,所述高压电极和地电极之间放置有圆台形环氧块,用以模拟盆式绝缘子材料和结构,所述高压电极、圆台形环氧块和地电极三者紧密接触。
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