[实用新型]一种高速、高压、高侧MOS驱动电路

摘要

本实用新型公开一种高速、高压、高侧MOS驱动电路，其包括直流电源、信号源、驱动芯片、电阻、第一MOS管、第二MOS管、电容、二极管、开关，直流电源正端与驱动芯片的电源端、第一MOS管的漏极相连，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连，驱动芯片的电源端与boost引脚之间串联有二极管，驱动芯片的TS引脚与boost引脚之间连接有电容，驱动芯片的TS引脚与第一MOS管的源极相连，驱动芯片的TG引脚通过电阻与第一MOS管和第二MOS管的栅极同时相连，信号源通过开关与驱动芯片的TINP引脚相连。本实用新型结构简单，设计合理，驱动电压高，输入电压可以高达100V，响应时间短。

主权项

一种高速、高压、高侧MOS驱动电路，其特征是：其包括直流电源、信号源、驱动芯片、电阻、第一MOS管、第二MOS管、电容、二极管、开关，直流电源正端与驱动芯片的电源端、第一MOS管的漏极相连，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连，驱动芯片的电源端与二极管的阳极相连，二极管的阴极与驱动芯片的boost引脚相连，驱动芯片的TS引脚与boost引脚之间连接有电容，驱动芯片的TS引脚与第一MOS管的源极相连，驱动芯片的TG引脚通过电阻与第一MOS管和第二MOS管的栅极同时相连，信号源通过开关与驱动芯片的TINP引脚相连。