[实用新型]一种沟槽肖特基二极管有效
| 申请号： | 201621009864.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN206059399U | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 高盼盼;代萌 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司11234 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种沟槽肖特基二极管，包括沟槽，且所述沟槽的侧壁外侧设有N型注入区，且所述沟槽的底部设有P型注入区。实用新型给出了一种沟槽肖特基二极管(TMBS)结构及其制造方法。相对于常规TMBS其提高了耐压、减小了正向压降、提高了开关速度、减小了反向电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括沟槽，且所述沟槽的侧壁外侧设有N型注入区，且所述沟槽的底部设有P型注入区，还包括一基片层，且所述基片层的一侧设有一外延层，所述沟槽设于所述外延层内。
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