[实用新型]电阻式衰减器有效

专利信息
申请号: 201621012432.5 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN206098639U 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 王永康;高琳;丁庆 申请(专利权)人: 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司;华讯方舟科技有限公司
主分类号: H01P1/22 分类号: H01P1/22
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 吴平
地址: 518102 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种电阻式衰减器,包括介质层,其上设有电阻层及均为微带线结构的第一导体层、第二导体层、第三导体层及第四导体层。电阻层表面包括沿第一方向依次分布且相通的第一电阻区域、第二电阻区域、第三电阻区域,第一电阻区域与第三电阻区域对应的电阻值相同。第一导体层、第四导体层用于接地,且分别与电阻层中位于第一电阻区域、第三电阻区域的结构连接。第二导体层、第三导体层用于传输信号并沿第二方向排列,且分别与电阻层中位于第二电阻区域结构的沿第二方向相对的两侧连接,第二方向与第一方向垂直。该电阻式衰减器相当于对称电阻式衰减器,且只采用一个电阻,从而减小了高频下的寄生效应,提高了衰减精度。
搜索关键词: 电阻 衰减器
【主权项】:
一种电阻式衰减器,其特征在于,包括:介质层;所述介质层上设有电阻层及均为微带线结构的第一导体层、第二导体层、第三导体层及第四导体层;所述电阻层表面包括沿第一方向依次分布且相通的第一电阻区域、第二电阻区域、第三电阻区域,所述第一电阻区域与所述第三电阻区域对应的电阻值相同;所述第一导体层、第四导体层用于接地,且分别与所述电阻层中位于所述第一电阻区域、第三电阻区域的结构连接;所述第二导体层、第三导体层用于传输信号并沿第二方向排列,且分别与所述电阻层中位于所述第二电阻区域的结构的沿所述第二方向相对的两侧连接;其中,所述第二方向与所述第一方向垂直。
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