[实用新型]一种大电流密度的LDNMOS结构有效
| 申请号： | 201621020802.X | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN206098397U | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 宋猛 | 申请（专利权）人： | 苏州隆誊微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙)32276 | 代理人： | 项丽 |
| 地址： | 215513 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种大电流密度的LDNMOS结构，所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置，所述源区和所述背栅采用小尺寸，在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环，所述N阱环的底部靠近N型埋层，用于构建深保护环。本实用新型能够缩短LDNMOS结构的布线距离，降低导线上电阻，进而减小开关的导通电阻。另外，本实用新型通过深N阱环的设计减小大电流时的衬底注入，消除闩锁效应，可收集最高比例的电子，同时有助于防止欧姆去偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流密度 ldnmos 结构 | ||
【主权项】：
一种大电流密度的LDNMOS结构，其特征在于，所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置，所述源区和所述背栅采用小尺寸；在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环，所述N阱环的底部靠近N型埋层，用于构建深保护环。
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