[实用新型]晶体管有效
| 申请号： | 201621023520.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN206003779U | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 鸿之微科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 居瓅;李夫玲 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件，公开了一种晶体管。在本实用新型的晶体管中，沟道层仅为一个过渡金属硫族化合物层，不但结构简单，而且在圆偏振光照射下能够产生高自旋极化率的自旋流，同时增加了栅极用来控制自旋流导通的源漏电压阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括栅极(5)、源极(3)、漏极(4)、绝缘层(1)和沟道层(2)；所述栅极(5)和所述沟道层(2)分别位于所述绝缘层(1)的两侧，所述沟道层(2)仅为一个过渡金属硫族化合物层；所述源极(3)和所述漏极(4)分别位于所述沟道层(2)表面上的两端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿之微科技（上海）有限公司，未经鸿之微科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621023520.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：量子隧穿场效应晶体管
- 下一篇：MOS晶体管
- 同类专利
- 专利分类
