[实用新型]MOS晶体管有效
| 申请号： | 201621030264.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN206003781U | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 鸿之微科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 居瓅;李夫玲 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件，公开了一种MOS晶体管。在本实用新型的MOS晶体管中，在源极与漏极之间的沟道区两侧表面上设置两个栅极，在沟道长度较小时仍然能够保持非常高的开关态电流比，提高MOS晶体管关闭状态特性，降低静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管包括源极(1)、漏极(3)、沟道区(2)、第一栅极(4)和第二栅极(5)；在位于所述源极(1)与所述漏极(3)之间的沟道区(2)的两侧表面上分别设置所述第一栅极(4)和所述第二栅极(5)，所述沟道区(2)为过渡金属硫族化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿之微科技（上海）有限公司，未经鸿之微科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621030264.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管
- 下一篇：搭接装置的电线转载装置
- 同类专利
- 专利分类
