[实用新型]光激发纯自旋流的器件有效
| 申请号： | 201621030334.4 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN206022382U | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 鸿之微科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 居瓅,李夫玲 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及光电转换技术，公开了一种光激发纯自旋流的器件。在本实用新型中，光激发纯自旋流的器件中的沟道层仅为一个过渡金属硫族化合物层，不但结构简单，而且具有更低的能量损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 激发 自旋 器件 | ||
【主权项】：
一种光激发纯自旋流的器件，其特征在于，所述器件包括衬底(1)、沟道层(2)、偏振片(5)、第一磁性电极(3)和第二磁性电极(4)；所述衬底(1)和所述偏振片(5)分别位于所述沟道层(2)的两侧，所述沟道层(2)仅为一个过渡金属硫族化合物层；所述第一磁性电极(3)和所述第二磁性电极(4)分别位于所述衬底(1)表面上的所述沟道层(2)的两端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
