[实用新型]半导体探测器有效

专利信息
申请号: 201621033789.1 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN206147105U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 申请(专利权)人: 同方威视技术股份有限公司
主分类号: G01T1/00 分类号: G01T1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 倪斌
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括阳极电路板,包括读出芯片;阴极电路板,所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质,所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接;探测器晶体,包括晶体主体、阳极和阴极,所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连,其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入,所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
搜索关键词: 半导体 探测器
【主权项】:
一种半导体探测器,包括:阳极电路板,包括读出芯片;阴极电路板,所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质,所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接;探测器晶体,包括晶体主体、阳极和阴极,所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连,其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入,所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
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