[实用新型]用于光收发器件抗干扰的半导体器件有效
| 申请号： | 201621040519.3 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN205984995U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 白昀 | 申请（专利权）人： | 飞昂通讯科技南通有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H04B10/40 |
| 代理公司： | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11416 | 代理人： | 顾珊,庞立岩 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层和隔离层上形成深硅通孔和N型重掺杂槽、P型重掺杂槽，金属层形成于隔离层之上；所述半导体器件包括至少两条N型重掺杂槽、两条P型重掺杂槽和数个深硅通孔，其中数个深硅通孔分成至少两排分布，N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列在深硅通孔的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 收发 器件 抗干扰 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括：自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层和隔离层上形成深硅通孔和N型重掺杂槽、P型重掺杂槽，金属层形成于隔离层之上；所述半导体器件包括至少两条N型重掺杂槽、两条P型重掺杂槽和数个深硅通孔，其中数个深硅通孔分成至少两排分布，N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列在深硅通孔的两侧。
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