[实用新型]一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖有效
| 申请号： | 201621042412.2 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN206070038U | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李百中;李铮;施振华;刘有臣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人： | 张泽纯,张宁展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖，所述铂金坩埚盖包括盖沿、圆形的盖面和与盖面同心的圆孔。所述盖沿在盖面的边缘，竖直向下，长度范围为3mm～20mm；所述圆形盖面具有一定弧度，该圆形盖面与水平面的夹角范围为5°～45°，直径范围为60mm～200mm；所述圆孔与盖面同心，圆孔直径范围为15mm～30mm，所述圆孔周围有一定高度的外壁，外壁的高度范围为3mm～10mm；所述铂金坩埚盖厚度范围为0.3mm～2mm。本实用新型适用于助熔剂法晶体生长过程中的温度梯度调控，同时可有效减少保温材料及熔体内挥发物对熔体的污染，保证熔体的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔剂 晶体生长 铂金 坩埚 | ||
【主权项】：
一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖，其特征在于，所述铂金坩埚盖包括盖沿、圆形的盖面和与盖面同心的圆孔，所述盖沿围绕在所述盖面的边缘，且竖直向下，所述盖面为圆形且向下具有一定弧度，在该盖面的中心设有圆形通孔，该通孔的外圆周设有外壁。
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