[实用新型]基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器

摘要

本实用新型公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器，包括基底、过渡层以及像素层；像素层由超像素结构单元阵列组成；超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅；双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；介质光栅的周期为260nm‑300nm，占空比为0.5‑0.7，厚度为90nm‑110nm；金属层的厚度为70nm‑90nm；在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷。

主权项

一种基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器，其特征在于：所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器包括基底、过渡层以及像素层；所述像素层由超像素结构单元阵列组成；所述超像素结构单元包括0°取向的双层纳米光栅、45°取向的双层纳米光栅、135°取向的双层纳米光栅以及90°取向的双层纳米光栅；所述双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；所述介质光栅的周期为260nm‑300nm，占空比为0.5‑0.7，厚度为90nm‑110nm；所述金属层的厚度为70nm‑90nm。