[实用新型]镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置有效
申请号: | 201621048854.8 | 申请日: | 2016-09-10 |
公开(公告)号: | CN206076275U | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 张晓清;汤勇;黄云翔;陆龙生;袁伟;万珍平;李宗涛 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置。装置包括位于硒化炉腔内的样品托架、样品加热台、分流板、坩埚、坩埚加热器和硒颗粒;铜铟镓合金预制层样品的两端放置在样品托架上,样品加热台位于铜铟镓合金预制层样品上方,样品托架下方设有坩埚和坩埚加热器,坩埚内装有所述硒颗粒,坩埚上方开口设有供硒蒸汽穿过的分流板,分流板位于铜铟镓合金预制层样品下方;硒化炉腔的一侧壁设有抽气系统,与抽气系统相对的硒化炉腔另一侧壁设有进气系统。本实用新型制备的铜铟镓硒薄膜其成分中各元素特别是镓元素分布均匀;制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池转换效率大大提高。 | ||
搜索关键词: | 元素 均匀分布 铜铟镓硒 薄膜 吸收 制备 装置 | ||
【主权项】:
镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置,其特征在于包括位于硒化炉腔内的样品托架、样品加热台、分流板、坩埚、坩埚加热器和硒颗粒;铜铟镓合金预制层样品的两端放置在样品托架上,样品加热台位于铜铟镓合金预制层样品上方,样品托架下方设有坩埚和坩埚加热器,坩埚内装有所述硒颗粒,坩埚上方开口设有供硒蒸汽穿过的分流板,分流板位于铜铟镓合金预制层样品下方;硒化炉腔的一侧壁设有抽气系统,与抽气系统相对的硒化炉腔另一侧壁设有进气系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的