[实用新型]一种超再生接收系列芯片的外围电路有效
| 申请号： | 201621051225.0 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN206117646U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王志年 | 申请（专利权）人： | 无锡晶哲科技有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/16 | 分类号： | H04B1/16 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人： | 姜万林 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无锡新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超再生接收系列芯片的外围电路，所述超再生接收系列芯片的VDD端口接电容Cvdd后接地，所述超再生接收系列芯片的IN端口并联电感Lin和电容Cin，电感Losc和电容Cosc并联后接在所述超再生接收系列芯片的DSC1端口和DSC2端口之间，所述超再生接收系列芯片的GND端口接地所述，所述超再生接收系列芯片FILTI端口与FILT2端口之间连接有电容C1，所述FILTI端口与所述C1连接的一端通过电容C2接地，上述电路有效减少产品灵敏度离散性大的问题，增加灵敏度调节的方便性，减少了加工成本，使产品更有竞争优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 再生 接收 系列 芯片 外围 电路 | ||
【主权项】：
一种超再生接收系列芯片的外围电路，其特征在于，所述超再生接收系列芯片的VDD端口接电容Cvdd后接地，所述超再生接收系列芯片的IN端口并联电感Lin和电容Cin，电感Losc和电容Cosc并联后接在所述超再生接收系列芯片的DSC1端口和DSC2端口之间，所述超再生接收系列芯片的GND端口接地所述，所述超再生接收系列芯片FILTI端口与FILT2端口之间连接有电容C1，所述FILTI端口与所述C1连接的一端通过电容C2接地。
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