[实用新型]一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路

摘要

本实用新型提供一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路，属于半导体激光器技术领域。其组成部分包括外部触发脉冲放大电路、窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路、半导体激光二极管。本实用新型采用单一低电压供电，可产生驱动激光二极管的高压；利用雪崩三极管的快速导通和关断特性，可以产生小于10纳秒的脉冲；通过调整外部触发脉冲的正脉宽占空比，可以调整激光二极管驱动信号幅值；通过调整光脉冲产生电路中储能电容的大小可以调整激光二极管驱动信号脉宽。本实用新型可实现小于10纳秒的窄脉宽高峰值功率的激光脉冲、结构简单，体积小，可以用于小型化激光脉冲测距系统，具有低成本、小体积、集成化度高、测距精度高的优点。

主权项

一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路，包括：外部触发脉冲放大电路(100)、窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)、半导体激光二极管(102)，其特征在于，所述外部触发脉冲放大电路(100)由晶体三极管Q1、晶体三极管Q2组成，所述窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)由电感L1、二极管D1、二极管D2、N沟道场效应管Q4、雪崩晶体三极管Q3、电容C1、电容C2、电阻R1组成，其中电感L1一端连接电源VCC，另一端连接场效应管Q4的漏极和二极管D1正极，场效应管Q4源极接地，场效应管Q4的栅极和电容C1的一端与所述外部触发脉冲放大电路(100)输出连接，电容C1的另一端连接电阻R1和雪崩晶体三极管Q3的基极，电阻R1另一端接地，雪崩晶体三极管Q3的发射极接地，雪崩晶体三极管Q3的集电极与二极管D1的负端和电容C2连接，电容C2的另一端与二极管D2正端连接，二极管D2负端接地，所述半导体激光二极管(102)LD负端与所述窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)中D2正端和电容C2连接，LD正端接地。