[实用新型]提高三极管可靠性的驱动结构有效

专利信息
申请号: 201621057545.7 申请日: 2016-09-14
公开(公告)号: CN206060517U 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 龙波;赵鑫;宗强;吴寿化;殷忠;管磊 申请(专利权)人: 无锡市芯茂微电子有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 代理人: 曹祖良,刘海
地址: 214131 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种提高三极管可靠性的驱动结构,包括电容C1、变压器线圈T、三极管Q和电阻R,其特征是所述电容C1的一端、变压器线圈T的一端接供电电压Vin,电容C1的另一端接地,变压器线圈T的另一端接三极管Q的集电极,三极管Q的发射极接电阻R的一端,电阻R的另一端接地,三极管Q的基极分别接控制芯片U的电流驱动器和电阻Rb的一端,电阻Rb的另一端接地。所述电阻Rb设置为10K以下阻值电阻。本实用新型所述提高三极管可靠性的驱动结构,能够提升三极管CE端的击穿电压,提高三极管驱动的可靠性。
搜索关键词: 提高 三极管 可靠性 驱动 结构
【主权项】:
一种提高三极管可靠性的驱动结构,包括电容C1、变压器线圈T、三极管Q和电阻R,其特征是:所述电容C1的一端、变压器线圈T的一端接供电电压Vin,电容C1的另一端接地,变压器线圈T的另一端接三极管Q的集电极,三极管Q的发射极接电阻R的一端,电阻R的另一端接地,三极管Q的基极分别接控制芯片U的电流驱动器和电阻Rb的一端,电阻Rb的另一端接地。
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