[实用新型]一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置有效
申请号: | 201621057920.8 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN206109529U | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 姜辛;刘鲁生;黄楠;杨兵;翟超峰;李俊豪;贾心怡 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511;C30B25/02;C30B29/04 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型涉及金刚石膜生长领域,尤其涉及一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置。该装置在密闭的壳体之间设置石英管,石英管一端外部设有依次连接的截止波导、波导、调配器、微波源,截止波导上设置冷却水出口;石英管另一端外部设有短路活塞,短路活塞所在的活塞缸上设有冷却水入口,所述石英管另一端外部与反应气体入口连通;石英管的上部设有光电温度计,下部设有真空系统、直流偏压电源;石英管内部设有基片台、基片,基片设置于基片台上,直流偏压电源通过电缆与基片台相连。本实用新型在高功率大面积微波等离子体沉积装置的基片台上加装直流负偏压系统,能够制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的金刚石单晶膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 大面积 偏压 微波 等离子体 金刚石 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石膜薄膜沉积装置,其特征于,该装置设有密闭的壳体,壳体之间为石英管,石英管一端外部设有依次连接的截止波导、波导、调配器、微波源,截止波导上设置冷却水出口;石英管另一端外部设有短路活塞,短路活塞所在的活塞缸上设有冷却水入口,所述石英管另一端外部与反应气体入口连通;石英管的上部设有光电温度计,石英管的下部设有真空系统、直流偏压电源;石英管内部设有基片台、基片,基片设置于基片台上,直流偏压电源通过电缆与基片台相连。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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