[实用新型]一种高可靠性交流电子开关有效
| 申请号： | 201621058460.0 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN206117618U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;吴鹤松;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/567;H03K17/687 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组和IGBT器件组，MOSFET器件组为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于IGBT器件组为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极相连，MOSFET器件组与IGBT器件组之间并联连接，MOSFET器件组的漏极与IGBT器件组的集电极相连，且均接入交流电源的输入端，MOSFET器件组的数量至少为一组，IGBT器件组的数量至少为一组；本实用新型电子开关将一组或多组MOSFET器件用IGBT器件代替，由于IGBT器件的通流能力强，且关断速度慢，关断时可以实现对MOSFET器件的保护，有效提高交流电子开关的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 交流 电子 开关 | ||
【主权项】：
一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组（1）和IGBT器件组（2），所述MOSFET器件组（1）为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于：所述IGBT器件组（2）为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极相连，所述MOSFET器件组（1）与IGBT器件组（2）之间并联连接，所述MOSFET器件组（1）的漏极与IGBT器件组（2）的集电极相连，且均接入交流电源的输入端。
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