[实用新型]低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器有效
| 申请号： | 201621060811.1 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN206136103U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王欣洋;周春平;宫辉力;李小娟;周泉;武大猷;郭姣 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/351 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 王淑秋 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，该传感器包括衬底及生长在衬底上的存储节点；所述衬底上靠近存储节点寄生p‑n结的区域生长保护区；存储节点和保护区均为n+型半导体，保护区接高电位。本实用新型在衬底上靠近存储节点寄生p‑n结的区域制作保护区，当漏光照射存储节点产生寄生光生电荷时，靠近保护区的p‑n结产生的寄生光生电荷会被连接高电位的n+型半导体保护区收集，减少了进入存储节点的寄生光生电荷，从而避免了信号失真，提高了图像传感器的感光灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 感光 灵敏度 全局 曝光 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，包括衬底(1)及生长在衬底(1)上的存储节点(4)，其特征在于所述衬底(1)上靠近存储节点(4)寄生p‑n结的区域生长保护区(6)；存储节点(4)和保护区(6)均为n+型半导体，保护区(6)接高电位。
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