[实用新型]阵列基板及显示器件有效

专利信息
申请号: 201621060816.4 申请日: 2016-09-18
公开(公告)号: CN206002819U 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 李盼;李文波;程鸿飞 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静;刘伟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及显示器件。所述阵列基板的像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极,存储电容包括电容量不同的第一存储电容和第二存储电容,所述第一存储电容用于维持第一子像素电极和公共电极线的电压差,所述第二存储电容用于维持第二子像素电极与公共电极线的电压差,由于第一存储电容和第二存储电容的电容量不同,从而第一子像素电极和第二子像素电极的放电速度也不同,使得第一子像素电极和第二子像素电极存在压差,从而实现多畴显示,结构简单,不会影响像素开口率。而且无需改变显示装置的驱动,仅是结构上的改变,控制简单。
搜索关键词: 阵列 显示 器件
【主权项】:
一种阵列基板,包括多个像素区域,每一像素区域包括像素电极、存储电容和半导体器件,其特征在于,所述像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极,所述半导体器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一子像素电极和第二子像素电极之间绝缘,且所述第一子像素电极与第一薄膜晶体管的漏电极电性连接,所述第二子像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏电极电性连接,所述存储电容包括第一存储电容和第二存储电容,所述第一存储电容的电容量大于所述第二存储电容的电容量,所述第一存储电容用于维持所述第一子像素电极上的电压,所述第二存储电容用于维持所述第二子像素电极上的电压。
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