[实用新型]阵列基板及显示器件有效
申请号: | 201621060816.4 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN206002819U | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 李盼;李文波;程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及显示器件。所述阵列基板的像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极,存储电容包括电容量不同的第一存储电容和第二存储电容,所述第一存储电容用于维持第一子像素电极和公共电极线的电压差,所述第二存储电容用于维持第二子像素电极与公共电极线的电压差,由于第一存储电容和第二存储电容的电容量不同,从而第一子像素电极和第二子像素电极的放电速度也不同,使得第一子像素电极和第二子像素电极存在压差,从而实现多畴显示,结构简单,不会影响像素开口率。而且无需改变显示装置的驱动,仅是结构上的改变,控制简单。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 器件 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括多个像素区域,每一像素区域包括像素电极、存储电容和半导体器件,其特征在于,所述像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极,所述半导体器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一子像素电极和第二子像素电极之间绝缘,且所述第一子像素电极与第一薄膜晶体管的漏电极电性连接,所述第二子像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏电极电性连接,所述存储电容包括第一存储电容和第二存储电容,所述第一存储电容的电容量大于所述第二存储电容的电容量,所述第一存储电容用于维持所述第一子像素电极上的电压,所述第二存储电容用于维持所述第二子像素电极上的电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621060816.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种液晶显示模组及具有其的液晶电视
- 下一篇:一种照明的装置及终端