[实用新型]一种新型C‑Mount单发射腔半导体激光器有效
| 申请号： | 201621064572.7 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN206135199U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王宪涛;王斌;王勇;赵梓涵;陈振杰 | 申请（专利权）人： | 长春长理光学精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司22100 | 代理人： | 王薇 |
| 地址： | 130022 吉林省长春市朝*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型C‑Mount单发射腔半导体激光器，其特征在于主体顶面两侧为凸起的左侧凸台和右侧凸台，左侧凸台与左侧电极之间以及右侧凸台与右侧电极之间均留有实现绝缘的缝隙，主体中间平面上焊接有陶瓷衬底，陶瓷衬底表面覆盖金属层，金属层分为左侧金属层、中心金属层和右侧金属层三部分，每部分的金属层之间相互绝缘，中心金属层的方框区域覆有一层金锡焊料，焊料区中心位置焊接有半导体芯片，左侧电极与左侧金属层金丝键合，左侧金属层与金属层金丝键合，本体中心位置的半导体芯片上表面与右侧金属层金丝键合，右侧电极与右侧金属层金丝键合。其结构简单，易于制造，性能稳定可靠，能满足对C‑Mount封装半导体激光器的不同功用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 mount 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种新型C‑Mount单发射腔半导体激光器，其特征在于：主体顶面两侧为凸起的左侧凸台和右侧凸台，左侧凸台与左侧电极之间以及右侧凸台与右侧电极之间均留有实现绝缘的缝隙，主体中间平面上焊接有陶瓷衬底，陶瓷衬底表面覆盖金属层，金属层分为左侧金属层、中心金属层和右侧金属层三部分，每部分的金属层之间相互绝缘，中心金属层的方框区域覆有一层金锡焊料，焊料区中心位置焊接有半导体芯片，左侧电极与左侧金属层金丝键合，左侧金属层与金属层金丝键合，本体中心位置的半导体芯片上表面与右侧金属层金丝键合，右侧电极与右侧金属层金丝键合。
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