[实用新型]一种偏振发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201621067532.8 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN206098445U | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵见国;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种偏振发光二极管芯片，是一种棱台结构的发光二极管芯片，该棱台结构的发光二极管芯片包括自下而上依次设置的蛾眼结构增透层、周期性蛾眼结构/第二介质阵列层、以及具有完整结构可以正常发光的光二极管芯片，所述棱台结构的发光二极管芯片还包括在棱台斜面及顶面上设置的金属高反射层。本实用新型的优点在于本实用新型为棱台结构的发光二极管芯片，进而形成斜面，且在斜面上设置金属高反射层，能够将横向的光线反射后出射，从而减小光能的损失；通过在发光二极管芯片的出光面设置周期性蛾眼结构/第二介质阵列表面层，可以使发光二极管出射偏振光；同时，通过设置的蛾眼结构增透层，提高光线的出射角，将原来发生全发射的光线出射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种偏振发光二极管芯片，其特征在于：所述偏振发光二极管芯片是一种棱台结构的发光二极管芯片，该棱台结构的发光二极管芯片包括自下而上依次设置的蛾眼结构增透层、周期性蛾眼结构/第二介质阵列层、以及具有完整结构可以正常发光的光二极管芯片，所述棱台结构的发光二极管芯片还包括在棱台斜面及顶面上设置的金属高反射层。
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