[实用新型]一种新型用于降低多晶铸锭氧含量的装置有效
申请号: | 201621074992.3 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN206143348U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 孟涛;路景刚;王海庆 | 申请(专利权)人: | 镇江环太硅科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258 | 代理人: | 陈丽君 |
地址: | 212000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种新型用于降低多晶铸锭氧含量的装置,包括石英坩埚和氮化硅板,石英坩埚侧壁上设有第一氮化硅粉涂层,石英坩埚底部设有第二氮化硅粉涂层,第二氮化硅粉涂层上设有凹槽组,氮化硅板底部设有凸起组,凸起组包括第一凸起和若干第二凸起,第一凸起包括水平凸起和竖直凸起,氮化硅板顶部设有第三氮化硅粉涂层,氮化硅板和第三氮化硅粉涂层侧壁与第一氮化硅粉涂层内壁之间设有第四氮化硅粉涂层;本实用新型利于降低硅锭下部和有效部位的氧含量,隔绝石英坩埚中的铁向硅锭扩散,利于降低电池效率衰减,提高良率,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 用于 降低 多晶 铸锭 含量 装置 | ||
【主权项】:
一种新型用于降低多晶铸锭氧含量的装置,包括石英坩埚和氮化硅板,其特征为,所述石英坩埚侧壁上设有第一氮化硅粉涂层,所述石英坩埚底部设有第二氮化硅粉涂层,所述第二氮化硅粉涂层上设有凹槽组,所述氮化硅板底部设有凸起组,所述凸起组与凹槽组配合;所述凸起组包括第一凸起和若干第二凸起,所述第一凸起包括水平凸起和竖直凸起,所述水平凸起和竖直凸起中部交叉相连,所述第二凸起呈圆形,若干第二凸起均匀分布于水平凸起和竖直凸起之间;所氮化硅板顶部设有第三氮化硅粉涂层,所述氮化硅板和第三氮化硅粉涂层侧壁与第一氮化硅粉涂层内壁之间设有第四氮化硅粉涂层,所述第四氮化硅粉涂层顶表面与第三氮化硅粉涂层顶表面位于同一水平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镇江环太硅科技有限公司,未经镇江环太硅科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621074992.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:滚镀装置
- 下一篇:一种多晶硅片生产用新型导轮吊臂