[实用新型]一种吸收式射频开关有效
申请号: | 201621076414.3 | 申请日: | 2016-09-22 |
公开(公告)号: | CN206076459U | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 东君伟;秦三团 | 申请(专利权)人: | 中山香山微波科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/10 | 分类号: | H01P1/10 |
代理公司: | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司44340 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 528437 广东省中山市火*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型适用于电子领域,提供了一种吸收式射频开关,所述吸收式射频开关包括第一RF传输线,分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口,依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压,其中,第一PIN二极管接输入端口,所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压,其中,第二PIN二极管接输出端口,从而形成吸收式单刀单掷射频开关。本实用新型的吸收式射频开关提高了吸收式射频开关的隔离度和开关的速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 吸收 射频 开关 | ||
【主权项】:
一种吸收式射频开关,其特征在于,所述吸收式射频开关包括第一RF传输线,分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口,依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压,其中,第一PIN二极管接输入端口,所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压,其中,第二PIN二极管接输出端口,从而形成吸收式单刀单掷射频开关。
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