[实用新型]一种电流增强型静电感应晶体管有效
| 申请号： | 201621077243.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN206022372U | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杨建红;谌文杰;肖彤;杨盼;王欣;陈键;王娇;乔坚栗 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种电流增强型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征是位于高阻外延层内、沟道下方有一层低阻隐埋层。本实用新型的器件通过引入隐埋层，有效提高了漏‑源偏压对沟道势垒的控制效率，从而提高了器件的输出电流和其他输出特性，是一种能同时适用于N沟道SIT和P沟道SIT增强电流的有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 增强 静电感应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电流增强型静电感应晶体管，由漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元构成，其特征在于在高阻外延层内、沟道下方有一层低阻隐埋层。
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