[实用新型]一种抗辐照二阶补偿高精度、低温漂带隙基准电压源电路有效
申请号: | 201621093343.8 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN206058021U | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 季赛健;刘文平;支知渊;魏海龙;尤路;肖筱 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开一种抗辐照二阶补偿高精度、低温漂带隙基准电压源电路,包括放大电路和数字修调网络R1;数字修调网络R1包括多个串联连接的多晶硅电阻,每个多晶硅电阻两端均通过一个反向二极管后并联有多晶硅电阻,通过在焊盘之间加入一定电压,使反向二极管反向击穿,使得串联的多晶硅电阻与其并联连接的多晶硅电阻导通,使数字修调网络R1的总值变小,基准VREF的值降低,实现对基准VREF的值的调整;用数字修调方式代替薄膜电阻的在线修调可以大大节约测试成本,用多晶硅电阻的负温度系数特性来抵消VBE的二次项可以避免Rb(+TC)设计误差带来的反复流片,降低了流片成本,降低了工程实现难度。 | ||
搜索关键词: | 一种 辐照 补偿 高精度 低温 漂带隙 基准 电压 电路 | ||
【主权项】:
一种抗辐照二阶补偿高精度、低温漂带隙基准电压源电路,其特征在于:包括运算放大器A1、npn管Q1、npn管Q2、多晶硅电阻RL1、多晶硅电阻RL2、多晶硅电阻R2和数字修调网络R1;VDD是输入电压,VREF是输出信号,多晶硅电阻RL1分别连接输入信号VDD和npn管Q1的集电极,npn管Q1的C、B、E极分别连接运算放大器A1的正向输入、输出信号VREF和多晶硅电阻R1、R2的交点,多晶硅电阻RL2分别连接输入信号VDD和npn管Q2的集电极,npn管Q2的C、B、E极分别连接运算放大器A1的负向输入、输出信号VREF和多晶硅电阻R2,多晶硅电阻R2分别连接npn管Q2的发射极和npn管Q1的发射极;数字修调网络R1包括多个串联连接的多晶硅电阻,每个多晶硅电阻两端均通过一个反向二极管后并联有多晶硅电阻,每个反向二极管两端均引出有焊盘,通过在反向二极管两端焊盘之间加入一定电压,使反向二极管反向击穿,使得串联的多晶硅电阻与其并联连接的多晶硅电阻导通,使数字修调网络R1的总值变小,基准VREF的值降低,实现对基准VREF的值的调整。
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