[实用新型]高温压力传感器有效
| 申请号： | 201621093603.1 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN206132279U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王敏锐;孙福河 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;G01L9/12 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高温压力传感器，属于微机械制造领域，该高温压力传感器包括硅衬底、设置在硅衬底上的敏感元件，还包括设置在硅衬底上的由耐高温不导电材料所制成的中间基片及设置在中间基片上的上层硅片，硅衬底、中间基片和上层硅片依次键合，硅衬底与中间基片之间形成有收纳敏感元件的腔体，该高温压力传感器由于将硅衬底、中间基片和上层硅片依次叠加以形成“硅衬底‑中间基片‑硅片”的三明治结构，使得应力失配相互抵消，以达到应力平衡；而该高温压力传感器的制作方法所制成的高温压力传感器由于形成了“硅衬底‑中间基片‑硅片”的三明治结构，使得应力失配相互抵消，以达到应力平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种高温压力传感器，包括硅衬底、设置在所述硅衬底上的敏感元件，其特征在于，还包括设置在所述硅衬底上的由耐高温不导电材料所制成的中间基片及设置在所述中间基片上的上层硅片，所述硅衬底、中间基片和上层硅片依次键合，所述硅衬底与中间基片之间形成有收纳所述敏感元件的腔体。
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