[实用新型]衬底触发的GGNMOS管和静电保护电路有效
| 申请号： | 201621096278.4 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN206040645U | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 雷玮;刘婷婷;李宏伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种衬底触发的GGNMOS管和静电保护电路，所述衬底触发的GGNMOS管包括P型半导体衬底；器件区，位于所述P型半导体衬底表面，所述器件区内形成至少两个NMOS管，所述NMOS管的栅极为条状结构；互连区，位于所述P型半导体衬底表面，且对称设置于所述器件区外围的两侧，所述互连区与所述NMOS管的栅极平行；衬底触发区，位于所述P型半导体衬底表面，且对称设置于所述器件区外围的两侧，并位于所述互连区之间，所述衬底触发区与所述NMOS管的栅极垂直。本实用新型采用新颖的版图设计方法，并采用电路分压结构从衬底触发GGNMOS，降低了GGNMOS开启电压，使ESD保护器件快速有效进入工作。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 触发 ggnmos 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种衬底触发的GGNMOS管，其特征在于，包括：P型半导体衬底；器件区，位于所述P型半导体衬底表面，所述器件区内形成至少两个NMOS管，所述NMOS管的栅极为条状结构；互连区，位于所述P型半导体衬底表面，且对称设置于所述器件区外围的两侧，所述互连区与所述NMOS管的栅极平行；衬底触发区，位于所述P型半导体衬底表面，且对称设置于所述器件区外围的两侧，并位于所述互连区之间，所述衬底触发区与所述NMOS管的栅极垂直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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