[实用新型]单层石墨烯薄膜基复合结构、超级电容器、LED器件、太阳能电池、光催化器件及传感器有效
| 申请号： | 201621105681.9 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN206250069U | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 汪际军 | 申请（专利权）人： | 全普光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/36;H01L33/40;H01L31/0224;B01J21/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种单层石墨烯薄膜基复合结构、超级电容器、LED器件、太阳能电池、光催化器件及传感器，该结构包括单层石墨烯薄膜和在单层石墨烯薄膜表面的纳米线垂直阵列；该纳米线垂直阵列包括至少两层纳米线子阵列，至少两层纳米线子阵列的顶部高度不相同，并且相同层的纳米线子阵列的顶部高度相同，使得纳米线垂直阵列具有高低起伏的顶部。本实用新型的单层石墨烯薄膜基复合结构，兼具快速载流子迁移率、高的比表面积的优点，并且可以提高单位时间内的吸附或释放电荷的数量以及增大电荷存储量。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 石墨 薄膜 复合 结构 超级 电容器 led 器件 太阳能电池 光催化 传感器 | ||
【主权项】：
一种单层石墨烯薄膜基复合结构，其特征在于，包括单层石墨烯薄膜和在单层石墨烯薄膜表面的纳米线垂直阵列；所述纳米线垂直阵列包括至少两层纳米线子阵列，至少两层纳米线子阵列的顶部高度不相同，并且同一层纳米线子阵列的纳米线顶部高度相同，使得纳米线垂直阵列具有高低起伏的顶部。
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