[实用新型]改进型多功能伏安变比综合测试装置

摘要

本实用新型公开了一种改进型多功能伏安变比综合测试装置，属于电子电气技术领域，解决了传统电路设计不合理，电流电压等参数测量不精确且易造成小内阻有源器件损坏的问题，包括单片机测控电路单元、高速峰值采样/保持电路单元以及定电压电子负载电路单元。本实用新型实用性很强，可广泛应用于电子电气技术领域。

主权项

一种改进型多功能伏安变比综合测试装置，其特征在于：包括单片机测控电路单元(1)、高速峰值采样/保持电路单元(2)以及定电压电子负载电路单元(3)；所述单片机测控电路单元(1)包括CPU单片机模块(4)、LED显示电路模块(5)、微型打印机模块(6)、键盘模块(7)、D/A转换模块(8)以及A/D转换模块(9)，所述键盘模块(7)、A/D转换模块(9)与所述CPU单片机模块(4)的输入端电信号相连，所述CPU单片机模块(4)的输出端与所述LED显示电路模块(5)、微型打印机模块(6)、D/A转换模块(8)电信号相连；所述高速峰值采样/保持电路单元(2)包括电流峰值采样保持器模块(10)、电压峰值采样保持器模块(11)，所述电流峰值采样保持器模块(10)、电压峰值采样保持器模块(11)的信号端均分别与所述A/D转换模块(9)信号端双向电信号连接；所述定电压电子负载电路单元(3)包括电压自动跟踪电路模块(12)、电流隔离放大器模块(13)、电压隔离放大器模块(14)、VMOS管(15)、补偿电源模块(16)以及待测有源器件模块(17)，所述电压自动跟踪电路模块(12)的输入端分别与D/A转换模块(8)、电压隔离放大器模块(14)电信号连接，所述电压自动跟踪电路模块(12)与VMOS管(15)的G端电信号相连，所述VMOS管的D端经补偿电源模块(16)与所述待测有源器件模块(17)的a端电信号相连；所述VMOS管(15)的S端与所述电流隔离放大器模块(13)的e端电信号相连，所述VMOS管(15)的S端还经电阻R分别与所述电流隔离放大器模块(13)的f端、待测有源器件模块(17)的b端电信号相连，所述待测有源器件模块(17)的c端与所述电压隔离放大器模块(14)的h端电信号相连，所述待测有源器件模块(17)的d端与所述电压隔离放大器模块(14)的输入端电信号相连，所述电压隔离放大器模块(14)的输出端与所述电压峰值采样保持器模块(11)电信号相连，所述电流隔离放大器模块(13)的输出端与所述电流峰值采样保持器模块(10)电信号相连。