[实用新型]高稳定度恒温晶体振荡器有效
申请号: | 201621111219.X | 申请日: | 2016-10-11 |
公开(公告)号: | CN206195749U | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 徐建;甘志银;吴玉莹 | 申请(专利权)人: | 武汉轻工大学 |
主分类号: | H03L1/02 | 分类号: | H03L1/02;H03L1/04 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司42104 | 代理人: | 杜传青 |
地址: | 430048 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高稳定度恒温晶体振荡器,包括普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件及温控电路,所述的半导体致热/冷元件置于普通恒温晶体振荡器之上,测温元件置于半导体致热/冷元件元件之下;所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件封装于真空封装外壳内且均与温控电路电连接;所温控电路外置于真空封装外壳。本实用新型由于增加了半导体致热/冷元件、测温元件,可以根据测温元件反馈结果使用半导体致热/冷元件进行一次恒温,由于对温控电路以外的元件一起进行了真空封装,不仅可以缩短恒温晶体振荡器的启动时间,更可以提高晶体的温度稳定性,从而达到进一步提高普通恒温晶体振荡器的稳定度的目的。 | ||
搜索关键词: | 稳定 恒温 晶体振荡器 | ||
【主权项】:
一种高稳定度恒温晶体振荡器,其特征在于:包括普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件及温控电路,所述的半导体致热/冷元件置于普通恒温晶体振荡器之上,测温元件置于半导体致热/冷元件元件之下;所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件封装于真空封装外壳内且均与温控电路电连接;所温控电路外置于真空封装外壳。
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