[实用新型]神经元突触电路及神经元电路有效
| 申请号： | 201621118750.X | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN206147705U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张金勇;孙宏伟;王磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | G06N3/06 | 分类号： | G06N3/06;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 王天尧 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种神经元突触电路及神经元电路，其中神经元突触电路包括充电电路，放电电路，以及分别与所述充电电路和所述放电电路连接的MOS电容；所述充电电路和所述放电电路均由多个MOS器件构成，且接入突触前神经元产生的脉冲序列和突触后神经元产生的脉冲序列；所述充电电路被构造为在突触前神经元产生的脉冲序列比突触后神经元产生的脉冲序列先到达时，通过对所述MOS电容进行充电输出使突触权值增加的模拟电压；所述放电电路被构造为在突触前神经元产生的脉冲序列比突触后神经元产生的脉冲序列后到达时，通过对所述MOS电容进行放电输出使突触权值减小的模拟电压。本实用新型可以减少电路功耗，并提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 神经元 突触 电路 | ||
【主权项】：
一种神经元突触电路，其特征在于，包括充电电路，放电电路，以及分别与所述充电电路和所述放电电路连接的MOS电容；所述充电电路和所述放电电路均由多个MOS器件构成，且接入突触前神经元产生的脉冲序列和突触后神经元产生的脉冲序列；所述充电电路被构造为在突触前神经元产生的脉冲序列比突触后神经元产生的脉冲序列先到达时，通过对所述MOS电容进行充电输出使突触权值增加的模拟电压；所述放电电路被构造为在突触前神经元产生的脉冲序列比突触后神经元产生的脉冲序列后到达时，通过对所述MOS电容进行放电输出使突触权值减小的模拟电压。
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