[实用新型]一种室温可调控的亚太赫兹波探测器件有效
申请号: | 201621119952.6 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN206282870U | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 王林;刘昌龙;唐伟伟;郭万龙;陈效双;陆卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/028 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本专利公开了一种室温可调控的亚太赫兹波探测器,以具有高迁移率且载流子浓度可调的石墨烯场效应晶体管为基本结构单元,场效应晶体管具有一组亚太赫兹波耦合天线的源漏电极和劈裂栅极。所述探测器在蓝宝石衬底上集成对数周期天线以及相应的引线电极;在天线间距中转移的石墨烯导电沟道;在石墨烯导电沟道上有氧化铝栅介质层,最后,在石墨烯导电沟道的氧化铝栅介质层上集成劈裂栅极以及相应的引线电极,实现可调控的亚太赫兹波探测。本专利的优点在于高速、宽频、响应高且可调控的类光导与类光伏探测器;器件的集成度、工艺成熟及可重复性,为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 室温 调控 亚太 赫兹 探测 器件 | ||
【主权项】:
一种室温可调控的亚太赫兹波探测器件,其特征在于:所述亚太赫兹波探测器在蓝宝石衬底(1)上集成对数周期天线(3)以及引线电极(2),对数周期天线(3)的两臂分别与对应的引线电极(2)相连;在对数周期天线(3)的两臂中间有高迁移率且载流子浓度可调的石墨烯导电沟道(4),石墨烯导电沟道(4)与对数周期天线(3)两臂互连,形成良好的欧姆接触;在石墨烯导电沟道(4)上有氧化铝栅介质层(5);在石墨烯导电沟道的氧化铝栅介质层(5)上集成劈裂栅极(6)以及相应的引线电极(2);所述的蓝宝石衬底(1)的厚度0.5~1mm;所述的对数周期天线(3)为金膜,尺寸为:外半径1~2mm,厚度100~200nm;所述的引线电极(2)为金电极,厚度200~400nm;所述的石墨烯导电沟道(4)长度为5~10μm;所述的氧化铝栅介质层(5)厚度为30~50nm;所述的劈裂栅极(6)为金膜,其线宽1~2.2μm,线间距500~600nm,厚度20~60nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621119952.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的