[实用新型]一种基于石墨烯量子点的THz单光子探测器有效
申请号: | 201621134980.5 | 申请日: | 2016-10-19 |
公开(公告)号: | CN206349380U | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 方靖岳;乔帅;王飞;张学骜;秦华;常胜利;秦石乔 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/18;G01J11/00 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 | 代理人: | 魏国先 |
地址: | 410073 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于石墨烯量子点的THz单光子探测器,采用石墨烯单量子点或者串联石墨烯双量子点与纳米条带石墨烯静电计相耦合的基本结构,以硅基片、源极、漏极、侧栅极、背栅极、库仑岛、静电计和保护层为基本组成单元,将源极、漏极、侧栅极、库仑岛和静电计集成设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上,将背栅极设置在硅基片的硅衬底上,其中,石墨烯单量子点或者串联石墨烯双量子点作为THz单光子探测器的库仑岛,库仑岛位于源极、漏极和侧栅极之间,库仑岛附近集成一个石墨烯纳米条带作为石墨烯静电计;库仑岛与源极和漏极以隧道结的形式耦合,库仑岛与侧栅极、背栅极和石墨烯静电计以电容的形式耦合。本实用新型克服了现有单光子探测器制备工艺难度大和灵敏度低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 量子 thz 光子 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯量子点的THz单光子探测器,其特征在于:采用石墨烯单量子点或者串联石墨烯双量子点与纳米条带石墨烯静电计相耦合的基本结构;所述的基本结构是:以硅基片、源极、漏极、侧栅极、背栅极、库仑岛、静电计和保护层为基本组成单元,将源极、漏极、侧栅极、库仑岛和静电计集成设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上,将背栅极设置在硅基片的硅衬底上,其中,石墨烯单量子点或者串联石墨烯双量子点作为THz单光子探测器的库仑岛,库仑岛位于源极、漏极和侧栅极之间,库仑岛附近集成一个石墨烯纳米条带作为石墨烯静电计;库仑岛与源极和漏极以隧道结的形式耦合,库仑岛与侧栅极、背栅极和石墨烯静电计以电容的形式耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学,未经中国人民解放军国防科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621134980.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的