[实用新型]具有保护晶圆的独立静电载具机构有效
申请号: | 201621139667.0 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN206271679U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 叶秀慧 | 申请(专利权)人: | 叶秀慧 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人: | 陈践实 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种具有保护晶圆的独立静电载具机构,用于承载一晶圆,该具有保护晶圆的独立静电载具机构为一独立运载的机构,不与其他机构作固定式的连接,仅用于静电连接晶圆;该晶圆上已制成多个芯片;该具有保护晶圆的独立静电载具机构包括一载板,用于承载位于其上方的该晶圆;至少一静电电路,配置于该载板上;各静电电路包括一感应电极对,其包括两个感应电极端分别由对应的静电电路的两端向下延伸而露出在该载板下方;该两个感应电极端用于连接外部的电压源的正极及负极,该电压源将感应该两个感应电极端而使得对应的静电电路内部的电路被感应而在该载板表面产生静电。 | ||
搜索关键词: | 具有 保护 独立 静电 机构 | ||
【主权项】:
一种具有保护晶圆的独立静电载具机构,其特征在于,用于承载一晶圆,该具有保护晶圆的独立静电载具机构为一独立运载的机构,不与其他机构作固定式的连接,仅用于静电连接晶圆;其中该晶圆上已制成多个芯片;该具有保护晶圆的独立静电载具机构包括:一载板,用于承载位于其上方的该晶圆;至少一静电电路,配置于该载板上,用于产生静电;其中各静电电路包括一感应电极对,该感应电极对包括两个感应电极端,该两个该应电极端分别由对应的静电电路的两端向下延伸,各感应电极端贯穿该载板,而由该载板下方露出;其中各静电电路的该感应电极对的该两个感应电极端用于连接外部的电压源的正极及负极,该电压源将感应对应的感应电极对的该两个感应电极端而使得对应的静电电路内部的电路被感应而在该载板的表面产生静电;此一静电可以持续相当一段时间,所以当该晶圆接近时,该静电可以感应该晶圆,而在近端产生极性相反的电荷分布;通过此极性相反的电荷分布与原来的静电的吸引力,将该晶圆吸附在该载板上,该载板承载该晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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