[实用新型]晶体硅电池的表面结构、晶体硅电池片及太阳能电池有效
| 申请号： | 201621142273.0 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN206194755U | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张高洁;王栩生;万松博;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英,林波 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体硅电池的表面结构、包括该表面结构的晶体硅电池以及太阳能电池。晶体硅电池的表面结构，包括受光面，所述受光面包括与电极接触的接触区域和未与电极接触的非接触区域，所述接触区域为纳米绒面结构，所述非接触区域为微米绒面结构或亚微米绒面结构。纳米绒面结构可以增大接触区域接触面积，具有更小的接触电阻，非接触区域设置为微米绒面结构或亚微米绒面结构，钝化难度比较小。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 电池 表面 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅电池的表面结构，其特征在于，包括受光面(1)，所述受光面(1)包括与电极接触的接触区域(11)和未与电极接触的非接触区域(12)，所述接触区域(11)为纳米绒面结构(13)，所述非接触区域(12)为微米绒面结构(14)或亚微米绒面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
