[实用新型]一种防断栅高效单晶电池有效
申请号: | 201621151662.X | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN206116430U | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 张育 | 申请(专利权)人: | 嘉兴金瑞光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0216 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)33253 | 代理人: | 李伊飏 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种防断栅高效单晶电池,包括电池片,所述电池片包括单晶硅片、氢化非晶硅薄膜和氧化硅减反射膜,所述单晶硅片表面设有氢化非晶硅薄膜,所述氢化非晶硅薄膜表面设有氧化硅减反射膜,所述电池片表面纵向分布有主栅线,所述电池片表面横向分布有副栅线,所述副栅线间隔处垂直分布防断栅线。本实用新型通过在单晶硅片表面设有氢化非晶硅薄膜和氧化硅减反射膜,可优化提升单晶硅电池的转化效率,通过设有的删线可提高电流搜集能力,降低串联电阻,从而提高电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 防断栅 高效 电池 | ||
【主权项】:
一种防断栅高效单晶电池,包括电池片(1),其特征在于:所述电池片(1)包括单晶硅片(2)、氢化非晶硅薄膜(3)和氧化硅减反射膜(4),所述单晶硅片(2)表面设有氢化非晶硅薄膜(3),所述氢化非晶硅薄膜(3)表面设有氧化硅减反射膜(4),所述电池片(1)表面纵向分布有主栅线(5),所述电池片(1)表面横向分布有副栅线(6),所述副栅线(6)间隔处垂直分布防断栅线(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的