[实用新型]一种可控硅穿通结构有效
| 申请号： | 201621161630.8 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN206322704U | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 纪锦程;陆益;李超;顾晶伟 | 申请（专利权）人： | 安徽富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种可控硅穿通结构，包括可控硅长基区；铝穿通扩散区，其为两个，两个所述铝穿通扩散区分别位于所述可控硅长基区的两侧；以及，腐蚀槽，其呈槽状，用于注入铝离子；所述腐蚀槽位于所述铝穿通扩散区远离所述可控硅长基区的一边。本实用新型通过在可控硅长基区设置腐蚀槽、从腐蚀槽内注入铝离子后扩散成铝穿通扩散区形成穿通结构，穿通温度低，穿通时间大大缩短，少子寿命长，可控硅电压高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
一种可控硅穿通结构，其特征在于，包括：可控硅长基区，其表面具有厚度为0.6微米的氧化层；铝穿通扩散区，其为两个，两个所述铝穿通扩散区分别位于所述可控硅长基区的两侧；以及，腐蚀槽，其呈槽状，用于注入铝离子；所述腐蚀槽位于所述铝穿通扩散区远离所述可控硅长基区的一边；其中，所述腐蚀槽是四个，四个腐蚀槽分别对应位于两个所述铝穿通扩散区远离所述可控硅长基区的边角处；所述腐蚀槽的深度为16―24微米；两个所述铝穿通扩散区之间的距离为120―160微米。
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