[实用新型]一种双差分式D‑dot过电压传感器及监测系统有效
申请号: | 201621161809.3 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN206096245U | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 徐志;覃日升;郭成;周鑫;张丽 | 申请(专利权)人: | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 逯长明,许伟群 |
地址: | 650217 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型是关于一种双差分式D‑dot过电压传感器及监测系统,双差分式D‑dot过电压传感器包括第一单极D‑dot传感器和第二单极D‑dot传感器,且第一单极D‑dot传感器和第二单极D‑dot传感器上下对称设置;第一单极D‑dot传感器和第二单极D‑dot传感器均包括金属半球壳本体,金属半球壳本体的外表面设置外层电极,金属半球壳本体的内表面设置内层电极,且外层电极和内层电极通过绝缘填充物连接。双差分式D‑dot过电压传感器的外层电极和内层电极依靠电场耦合感应出电荷,输出差分电压信号,实现监测系统的非接触测量,提高了测量的响应速度、抗干扰能力和灵敏度。过电压监测系统将双差分式D‑dot过电压传感器输出的差分电压信号进行处理,自动识别过电压信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 分式 dot 过电压 传感器 监测 系统 | ||
【主权项】:
一种双差分式D‑dot过电压传感器,其特征在于,包括第一单极D‑dot传感器(1)和第二单极D‑dot传感器(2),其中:所述第一单极D‑dot传感器(1)和第二单极D‑dot传感器(2)上下对称设置;所述第一单极D‑dot传感器(1)和第二单极D‑dot传感器(2)均包括金属半球壳本体,所述金属半球壳本体的外表面设置外层电极(11),所述金属半球壳本体的内表面设置内层电极(12);所述外层电极(11)和内层电极(12)之间设置绝缘填充物(13),且所述外层电极(11)和内层电极(12)通过所述绝缘填充物(13)连接。
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