[实用新型]一种低温多晶硅式晶体管及其显示装置

摘要

本实用新型提供一种低温多晶硅式晶体管及其显示装置。所述晶体管结构包含基板、第一绝缘层、低温多晶硅层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一和第二栅极开口、第二金属层和第三金属层。低温多晶硅层设置于第一绝缘层。第三绝缘层设置于第二绝缘层。第四绝缘层设置于第三绝缘层。第一和第二栅极开口分别形成于第三和第四绝缘层。第二金属层分别与低温多晶硅层的源极区与漏极区接触。第三金属层的一部分容纳于第一与第二栅极开口从而与第一金属层接触。相比于现有技术，本实用新型的第三金属层可用作金属传导线或栅极，在不影响原制程的前提下，以降低金属传导线的阻抗，提升产品的规格。

主权项

一种低温多晶硅式晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅式晶体管包含:一基板；一第一绝缘层，设置于所述基板；一低温多晶硅层，设置于所述第一绝缘层，其中所述低温多晶硅层具有一源极区、一漏极区、一通道区与一轻掺杂区，其中所述源极区与所述漏极区分别位于所述通道区的两侧，而所述轻掺杂区位于所述通道区与所述源极区之间以及所述通道区与所述漏极区之间；一第二绝缘层，设置于所述低温多晶硅层，使得所述低温多晶硅层位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；一第一金属层，设置于所述基板，使得所述第二绝缘层位于所述第一金属层与所述低温多晶硅层之间；一第三绝缘层，设置于所述第二绝缘层；一第四绝缘层，设置于所述第三绝缘层；一第一栅极开口，形成于所述第三绝缘层；一第二栅极开口，形成于所述第四绝缘层；一第二金属层，分别与所述源极区与所述漏极区所接触；以及一第三金属层，部分之所述第三金属层容纳于所述第一栅极开口与所述第二栅极开口内，使得所述第三金属层与所述第一金属层接触。