[实用新型]一种晶硅太阳电池正面电极结构有效
申请号: | 201621170876.1 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN206194750U | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 王举亮;吴翔;倪玉凤;刘军保;张婷 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶硅太阳电池正面电极结构,包括设置在所述正面电极上的若干主栅线与若干副栅线,其中,所述主栅线相互平行设置,所述副栅线相互平行设置并垂直于所述主栅线,所述正面电极包含第一区域、第二区域及第三区域,所述第一区域包围所述第二区域,所述第二区域包围所述第三区域,设置在所述第一个区域,所述第二区域及所述第三区域的所述副栅线的间距不同。上述方案可以实现在不同区域设计不同副栅线宽度和间距,降低遮光面积,提高电流,从而提高晶硅电池转换效率,此外缓解甚至消除由于扩散方阻不均导致效率偏低的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 正面 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种晶硅太阳电池正面电极结构,其特征在于,包括设置在所述正面电极上的若干主栅线与若干副栅线,其中,所述主栅线相互平行设置,所述副栅线相互平行设置并垂直于所述主栅线,所述正面电极包含第一区域、第二区域及第三区域,所述第一区域包围所述第二区域,所述第二区域包围所述第三区域,设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述副栅线的间距不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的