[实用新型]利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置有效

专利信息
申请号: 201621179739.4 申请日: 2016-10-27
公开(公告)号: CN206132652U 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 张振伟;张存林 申请(专利权)人: 首都师范大学
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/3581
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 代理人: 孙皓晨
地址: 100037 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置,该装置用于在不损坏层状绝缘材料的情况下对其内部的缺陷进行检测。利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置包括太赫兹发射源、两个透镜、太赫兹探测器、二维扫描装置和成像处理装置,太赫兹发射源用于发射连续调频太赫兹波,两个透镜用于将太赫兹发射源发射的太赫兹波会聚至待测样品的表面,在待测样品表面反射后的太赫兹波再次经过两个透镜后由太赫兹探测器接收并与其内部的本振信号混频后得到一中频信号,二维扫描装置控制太赫兹发射源在距离待测样品表面的一设定距离处对待测样品的表面进行扫描。
搜索关键词: 利用 赫兹 成像 检测 层状 绝缘材料 内部 缺陷 装置
【主权项】:
一种利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置,其特征在于,包括:太赫兹发射源、两个透镜、太赫兹探测器、二维扫描装置和成像处理装置,其中:所述太赫兹发射源用于发射频率范围在325GHz~500GHz之间变化的连续调频太赫兹波,所述太赫兹发射源发射的太赫兹波由325GHz变化至500GHz的周期为ts;两个透镜均为准直透镜并且平行设置在所述太赫兹发射源与一待测样品之间,用于将所述太赫兹发射源发射的太赫兹波会聚至所述待测样品的表面,太赫兹波在所述待测样品表面发生发射;所述太赫兹探测器设置在所述太赫兹发射源的下端,其内部具有一频率为定值的本振信号,在所述待测样品表面反射后的太赫兹波再次经过两个透镜后由所述太赫兹探测器接收并与其内部的本振信号混频后得到一中频信号;所述二维扫描装置用于控制所述太赫兹发射源在距离待测样品表面的一设定距离处以设定的扫描精度对所述待测样品的表面进行扫描,所述二维扫描装置在每一扫描位置处停留的时间为Nts,其中N为大于等于1的整数,所述二维扫描装置定义与所述待测样品表面平行的表面为x‑y平面以及定义与x‑y平面垂直的方向为z方向;所述成像处理装置与所述太赫兹探测器连接,所述成像处理装置用于接收所述中频信号并对其进行处理,以得到对应其中一个扫描位置的一维成像数组,当所述二维扫描装置控制所述太赫兹发射源遍历所述待测样品表面的所有扫描位置之后,得到的多个一维成像数组构成一三维成像数据阵列,所述成像处理装置根据该三维成像数据阵列输出与该待测样品对应的x‑y方向成像图、x‑z方向成像图和y‑z方向成像图。
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