[实用新型]生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜有效
| 申请号： | 201621186039.8 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN206116416U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李国强;张曙光;王凯诚 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。本实用新型的n‑InGaAs薄膜的Si掺杂剂在薄膜中呈现脉冲式分布，有效地抑制Si的自补偿效应，提高掺杂效率、电子迁移率及晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 gaas 衬底 ingaas 薄膜 | ||
【主权项】：
生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
