[实用新型]应用于太赫兹波段的3‑比特透射式电磁编码超材料结构有效

专利信息
申请号: 201621187557.1 申请日: 2016-10-28
公开(公告)号: CN206180122U 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 崔铁军;刘硕;罗钧 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 210033 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供了一种应用于太赫兹波段的3‑比特透射式电磁编码超材料结构。其基本单元结构由三层金属开口谐振环结构和四层聚酰亚胺介质层交替排列构成,通过优化设计开口谐振环结构的几何参数,可使得每个单元在y极化垂直入射电磁波照射时呈现出8个独立的折射相位,对应数字态“0”到“7”。按预先设计的数字编码在二维平面上排列这些数字单元,就形成了3‑比特透射式电磁编码超材料。在太赫兹频段,3‑比特透射式电磁编码超材料可以折射入射电磁波,实现异常折射。由于聚酰亚胺介质出色的机械和化学性能,本实用新型具有柔性、抗腐蚀、抗物理磨损的优点,在太赫兹成像以及通信方面有着广阔的应用前景。
搜索关键词: 应用于 赫兹 波段 比特 透射 电磁 编码 材料 结构
【主权项】:
一种应用于太赫兹波段的3‑比特透射式电磁编码超材料结构,其特征在于,该材料由八种基本单元结构按照预先设计的数字编码序列在二维平面内排列而构成,其基本单元结构由三层金属开口谐振环和四层聚酰亚胺介质层交替叠合构成,其中,顶部和底部开口谐振环的开口中心在二维平面内坐标系内分别沿着x轴和y轴方向,中间层的开口谐振环的开口中心分别沿着45°或135°方向,通过调整开口谐振环的开口角度及开口方向,来实现八个不同的数字态。
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