[实用新型]一种低压小信号驱动高压MOS的电路有效

专利信息
申请号: 201621190650.8 申请日: 2016-10-28
公开(公告)号: CN206181005U 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 邢宏印;张万龙 申请(专利权)人: 深圳市志和兴业电子有限公司
主分类号: H03K19/082 分类号: H03K19/082
代理公司: 广州番禺容大专利代理事务所(普通合伙)44326 代理人: 刘新年
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种低压小信号驱动高压MOS的电路,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6,稳压管D1;电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6,稳压管D1。本实用新型的将低压小信号驱动高压MOS的电路结构简单,应用范围广,能满足较高的工作频率和驱动电流,适用于单片机驱动的MOS管和低驱动电压的IC,也可用于双电压应用,或用于3.3V或者5V的数字电压驱动,或用于12V或者24V的模拟功率部分,有效降低成本,调整方便灵活。
搜索关键词: 一种 低压 信号 驱动 高压 mos 电路
【主权项】:
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