[实用新型]一种晶体振荡电路有效
| 申请号： | 201621197485.9 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN206117613U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 卓春坛;刘俊秀;刘敬波 | 申请（专利权）人： | 深圳艾科创新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/013 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种晶体振荡电路，包括NMOS管M1、连接在NMOS管M1源极和漏极之间的选频网络、连接在NMOS管M1栅极和选频网络之间的电阻R1和连接在NMOS管M1栅极和漏极之间的电阻Rf，以及NMOS管M1的漏极通过电流源ID连接电源VDD，源极接地，栅极依次串联滤波网络、放大器和输出驱动电路后输出信号。本实用新型在NMOS管的栅极串联了滤波网络和放大器，通过滤波网络对振荡频率进行交流取样，使得电流源ID无需很大的偏置电流，从而大大减少了电流源ID值，进而降低了功耗。另外，采样频率是通过XIN端采样，频率的频偏较好，再加上高通滤波处理，使信号更加干净，从而降低了频率的频偏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 振荡 电路 | ||
【主权项】：
一种晶体振荡电路，其特征在于，包括NMOS管M1、连接在NMOS管M1源极和漏极之间的选频网络、连接在NMOS管M1栅极和选频网络之间的电阻R1和连接在NMOS管M1栅极和漏极之间的电阻Rf，以及NMOS管M1的漏极通过电流源ID连接电源VDD，源极接地，栅极依次串联滤波网络、放大器和输出驱动电路后输出信号。
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