[实用新型]图像传感器和成像像素有效
申请号: | 201621200771.6 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN206412361U | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | J·海耐克 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及图像传感器和成像像素。图像传感器包括成像像素,成像像素包括第一衬底;第二衬底;在第一衬底中形成的光电二极管;在第一衬底中形成的第一电荷转移栅极和第二电荷转移栅极;在第二衬底中形成的第一电荷存储区和第二电荷存储区;以及第一互连层和第二互连层,其中第一互连层将第一电荷转移栅极耦接到第一电荷存储区,并且其中第二互连层将第二电荷转移栅极耦接到第二电荷存储区。本实用新型解决的技术问题是改善占用可用像素区域且增加传感器成本的在全局快门扫描模式下操作的常规图像传感器。实现的技术效果是提供用于图像传感器的改善的像素,改善的像素具有较大的光圈效率和HDR性能高分辨率而不牺牲光电二极管的大小。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 成像 像素 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,所述图像传感器包括成像像素,其特征在于所述成像像素包括:第一衬底;第二衬底;在所述第一衬底中形成的光电二极管;在所述第一衬底中形成的第一电荷转移栅极和第二电荷转移栅极;在所述第二衬底中形成的第一电荷存储区和第二电荷存储区;以及第一互连层和第二互连层,其中所述第一互连层将所述第一电荷转移栅极耦接到所述第一电荷存储区,并且其中所述第二互连层将所述第二电荷转移栅极耦接到所述第二电荷存储区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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