[实用新型]基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关有效
| 申请号： | 201621214564.6 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN206178278U | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王昊卿 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;H01P1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关。它包括开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜、右侧矩形二硫化钼薄膜、二氧化硅层、基底层、信号输入端、信号输出端；基底层的上层为二氧化硅层，二氧化硅层上铺有开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜和右侧矩形二硫化钼薄膜；通过调节施加在开口环形二硫化钼薄膜与基底层之间的偏置直流电压，调节开口环形二硫化钼薄膜的有效介电常数，实现太赫兹信号的通断。本实用新型具有结构简单紧凑，尺寸小，响应快，设计原理简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二硫化钼 薄膜 结构 赫兹 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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