[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201621215658.5 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN206293434U | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | A·帕勒亚里;A·米拉尼;L·瓜里诺;F·龙奇 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件。该半导体器件包括第一层，具有边缘区域；金属化结构，具有面向所述第一层的边缘区域而并未接触所述边缘区域的外围部分。由此避免热机械应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：第一层，具有边缘区域；金属化结构，具有面向所述第一层的边缘区域而并未接触所述边缘区域的外围部分。
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