[实用新型]多层缓存装置有效
申请号: | 201621225282.6 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN206340563U | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 姜晨杰;任宇航;徐彩军;姚永杰 | 申请(专利权)人: | 浙江尚越新能源开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人: | 尉伟敏,郑汉康 |
地址: | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种多层缓存装置,解决了现有技术中没有储料区用于存放涂覆浆料的太阳能电池组件,涂覆浆料工序无法与热压工序相匹配的缺陷,包括具有多层放置太阳能电池组件并可升降改变放置位置的存储部;将太阳能电池组件平移送入到存储部的横移机构。存储部具有多层放置位置,可以实现同时存放多片太阳能电池组件,使得涂覆浆料工序与热压工序相匹配;横移机构将涂覆浆料后的太阳能电池组件自动送入到存储部,从而实现自动转移,使得热压工序可以连续进行,涂覆浆料工序也可以连续进行。 | ||
搜索关键词: | 多层 缓存 装置 | ||
【主权项】:
一种多层缓存装置,其特征在于包括:具有多层放置太阳能电池组件并可升降改变放置位置的存储部,存储部包括一可升降主体,升降主体侧边设置有多根存放杆,存放杆上下布置形成多层存放结构,每一层至少有三根存放杆;将太阳能电池组件平移送入到存储部的横移机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的